Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP037N06L3GXKSA1

Infineon Technologies IPP037N06L3GXKSA1

Número da peça
IPP037N06L3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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  • 10 pcs

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    0.63855/pcs
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    0.49665/pcs
  • 1,000 pcs

    0.41151/pcs
Total:0.83500/pcs Unit Price:
0.83500/pcs
Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça IPP037N06L3GXKSA1
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO-220-3
Pacote / Caso TO-220-3
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