Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF BFS17NQTA

Diodes Incorporated BFS17NQTA

Número da peça
BFS17NQTA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descrição
TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça BFS17NQTA
Status da Parte Active
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 11V
Frequência - Transição 3.2GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) -
Ganho -
Power - Max 310mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-23
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