Casa Índice de Produtos Semicondutor discreto Transistores - Bipolar (BJT) - RF NE68139R-T1

CEL NE68139R-T1

Número da peça
NE68139R-T1
Fabricante
CEL
Descrição
TRANS NPN 1GHZ SOT-143R
Status sem chumbo / status de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Família
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

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Preço alvo:
Quantidade:
Parâmetro do produto
Número da peça NE68139R-T1
Status da Parte Obsolete
Tipo de transistor NPN
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) 10V
Frequência - Transição 9GHz
Figura de ruído (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
Ganho 13.5dB
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 65mA
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / Caso SOT-143R
Pacote de dispositivos de fornecedores SOT-143R
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