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| Número da peça | TN2130K1-G |
|---|---|
| Status da Parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 300V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 85mA (Tj) |
| Tensão de transmissão (Max Rds ligado, Min Rds ligado) | 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 4.5V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | TO-236AB (SOT23) |
| Pacote / Caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Em estoque: 6000
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Em estoque: 847
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3
Em estoque: 0
Fabricante: Microchip Technology
Descrição: MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3
Em estoque: 0
