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부품 번호 | TC58BVG0S3HTA00 |
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부품 상태 | Active |
메모리 유형 | Non-Volatile |
메모리 형식 | EEPROM |
과학 기술 | EEPROM - NAND |
메모리 크기 | 1Gb (128M x 8) |
클럭 주파수 | - |
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 25ns |
액세스 시간 | 25ns |
메모리 인터페이스 | Parallel |
전압 - 공급 | 2.7 V ~ 3.6 V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
공급 업체 장치 패키지 | 48-TSOP I |
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 1GBIT 25NS 63FBGA
재고: 49
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
재고: 56
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
재고: 99
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 1GBIT 25NS 48TSOP
재고: 477
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
재고: 78
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
재고: 2
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 63FBGA
재고: 50
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
재고: 72
제조사: Toshiba Semiconductor and Storage
기술: IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
재고: 162