제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 PMWD19UN,518

NXP USA Inc. PMWD19UN,518

부품 번호
PMWD19UN,518
제조사
NXP USA Inc.
기술
MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 PMWD19UN,518
부품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1478pF @ 10V
전력 - 최대 2.3W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지 8-TSSOP
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