제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 BC517,116

NXP USA Inc. BC517,116

부품 번호
BC517,116
제조사
NXP USA Inc.
기술
TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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제품 매개 변수
부품 번호 BC517,116
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 NPN - Darlington
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 500mA
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 30V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 30000 @ 20mA, 2V
전력 - 최대 625mW
빈도 - 전환 220MHz
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급 업체 장치 패키지 TO-92-3
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