제품 색인 이산 소자 반도체 제품 트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이 DSS4160FDB-7

Diodes Incorporated DSS4160FDB-7

부품 번호
DSS4160FDB-7
제조사
Diodes Incorporated
기술
TRANS NPH U-DFN2020-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부
Lead free / RoHS Compliant
가족
트랜지스터 - 양극(BJT) - 어레이
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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제품 매개 변수
부품 번호 DSS4160FDB-7
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 2 NPN (Dual)
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 1A
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 60V
Vce 포화도 (최대) @Ib, Ic 240mV @ 50mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
전력 - 최대 405mW
빈도 - 전환 175MHz
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B)
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