ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル SI2314EDS-T1-GE3

Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-GE3

部品番号
SI2314EDS-T1-GE3
メーカー
Vishay Siliconix
説明
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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製品パラメータ
部品番号 SI2314EDS-T1-GE3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.77A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.8V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 950mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 14nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±12V
FET機能 -
消費電力(最大) 750mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 33 mOhm @ 5A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
関連製品
SI2314EDS-T1-E3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

在庫あり: 12000

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SI2314EDS-T1-GE3

メーカー: Vishay Siliconix

説明: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

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