ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル BUK652R7-30C,127

NXP USA Inc. BUK652R7-30C,127

部品番号
BUK652R7-30C,127
メーカー
NXP USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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製品パラメータ
部品番号 BUK652R7-30C,127
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.8V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 114nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6960pF @ 25V
Vgs(最大) ±16V
FET機能 -
消費電力(最大) 204W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 3.3 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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