部品番号 | SI2304DS,215 |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.6nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 195pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 830mW (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 117 mOhm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-236AB (SOT23) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
メーカー: Vishay Siliconix
説明: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
在庫あり: 108000