ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル PHT6NQ10T,135

Nexperia USA Inc. PHT6NQ10T,135

部品番号
PHT6NQ10T,135
メーカー
Nexperia USA Inc.
説明
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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量:
製品パラメータ
部品番号 PHT6NQ10T,135
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 21nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 633pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 90 mOhm @ 3A, 10V
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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