部品番号 | PHT6NQ10T,135 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 21nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 633pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 3A, 10V |
動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |