部品番号 | APTM120DA30T1G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 31A |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 2.5mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 560nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14560pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 657W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 360 mOhm @ 25A, 10V |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
パッケージ/ケース | SP1 |