provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| 部品番号 | APT8M100B |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1885pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 290W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.8 Ohm @ 4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
