部品番号 | APT47N60BC3G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 47A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.9V @ 2.7mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 260nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7015pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 417W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 70 mOhm @ 30A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
メーカー: Microsemi Corporation
説明: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
在庫あり: 355