ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2N6764T1

Microsemi Corporation 2N6764T1

部品番号
2N6764T1
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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製品パラメータ
部品番号 2N6764T1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 38A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 125nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds -
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 4W (Ta), 150W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 65 mOhm @ 38A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3
パッケージ/ケース TO-204AE
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