部品番号 | 2N6764T1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 38A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 125nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 65 mOhm @ 38A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3 |
パッケージ/ケース | TO-204AE |