Infineon Technologies IPD30N06S215ATMA2

部品番号: IPD30N06S215ATMA2
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: Lead free / RoHS Compliant
家族: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

Infineon Technologies

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製品パラメータ

部品番号	IPD30N06S215ATMA2
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	55V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	30A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 80µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	110nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1485pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	136W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	14.7 mOhm @ 30A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3-11
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63