部品番号 | IPB017N06N3 G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 196µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 275nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 23000pF @ 30V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 250W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
在庫あり: 1000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
在庫あり: 2000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
在庫あり: 5000
メーカー: Infineon Technologies
説明: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
在庫あり: 1000