部品番号 | IDW40G65C5BXKSA2 |
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部品ステータス | Active |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
電圧 - DC逆(Vr)(最大) | 650V |
電流 - 平均整流(Io) | 20A (DC) |
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If | 1.7V @ 20A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
逆回復時間(trr) | 0ns |
電流 - 逆リーク(Vr) | 210µA @ 650V |
容量Vr、F | 590pF @ 1V, 1MHz |
取付タイプ | Through Hole |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 175°C |
メーカー: Infineon Technologies
説明: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3
在庫あり: 33
メーカー: Infineon Technologies
説明: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
在庫あり: 0
メーカー: Infineon Technologies
説明: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
在庫あり: 10
メーカー: Infineon Technologies
説明: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247-3
在庫あり: 0