ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル GP1M018A020PG

Global Power Technologies Group GP1M018A020PG

部品番号
GP1M018A020PG
メーカー
Global Power Technologies Group
説明
MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

global power technologies group, inc. is an integrated development and manufacturing company dedicated to products based on silicon carbide (sic) technologies.

在庫数量で数量個
  • 参考価格

    (米ドル)
  • 1 pcs

    0.70000/pcs
  • 10 pcs

    0.64800/pcs
  • 100 pcs

    0.51205/pcs
  • 500 pcs

    0.39710/pcs
  • 1,000 pcs

    0.31350/pcs
合計:0.70000/pcs Unit Price:
0.70000/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 GP1M018A020PG
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 950pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 94W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 170 mOhm @ 9A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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