ホーム 製品インデックス ディスクリート半導体製品 トランジスタ - FET、MOSFET - シングル DMN100-7-F

Diodes Incorporated DMN100-7-F

部品番号
DMN100-7-F
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
Lead free / RoHS Compliant
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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合計:0.12032/pcs Unit Price:
0.12032/pcs
目標価格:
量:
製品パラメータ
部品番号 DMN100-7-F
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 150pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 240 mOhm @ 1A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-59-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
関連製品
DMN100-7-F

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3

在庫あり: 6000

RFQ 0.12032/pcs
DMN1004UFV-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333

在庫あり: 0

RFQ 0.10918/pcs
DMN1004UFV-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333

在庫あり: 4000

RFQ 0.10918/pcs
DMN1016UCB6-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

在庫あり: 15000

RFQ 0.12477/pcs
DMN1017UCP3-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN1010-

在庫あり: 0

RFQ 0.11141/pcs
DMN1019UFDE-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

在庫あり: 6000

RFQ 0.08354/pcs
DMN1019USN-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

在庫あり: 20000

RFQ 0.05838/pcs
DMN1019USN-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

在庫あり: 3000

RFQ 0.06945/pcs
DMN1019UVT-13

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

在庫あり: 0

RFQ 0.06087/pcs
DMN1019UVT-7

メーカー: Diodes Incorporated

説明: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

在庫あり: 3000

RFQ 0.06926/pcs