部品番号 | DMN100-7-F |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.1A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 5.5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 500mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 240 mOhm @ 1A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-59-3 |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
在庫あり: 4000
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
在庫あり: 15000
メーカー: Diodes Incorporated
説明: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
在庫あり: 6000