Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SIHB12N60E-GE3

Vishay Siliconix SIHB12N60E-GE3

Numero di parte
SIHB12N60E-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 1762 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.08500/pcs
  • 10 pcs

    1.03200/pcs
  • 100 pcs

    0.82915/pcs
  • 500 pcs

    0.64488/pcs
  • 1,000 pcs

    0.53433/pcs
Totale:1.08500/pcs Unit Price:
1.08500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SIHB12N60E-GE3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937pF @ 100V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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