Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI9433BDY-T1-GE3

Numero di parte
SI9433BDY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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In stock 18750 pz
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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SI9433BDY-T1-GE3
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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fabbricante: Vishay Siliconix

Descrizione: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Disponibile: 37500

RFQ 0.15232/pcs
SI9433BDY-T1-GE3

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RFQ 0.15232/pcs