Numero di parte | SI4906DY-T1-GE3 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 20V |
Potenza - Max | 3.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
Disponibile: 0