Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SI4831BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4831BDY-T1-GE3

Numero di parte
SI4831BDY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Numero di parte SI4831BDY-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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