Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI4532ADY-T1-E3

Vishay Siliconix SI4532ADY-T1-E3

Numero di parte
SI4532ADY-T1-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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In stock 56250 pz
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Parametro del prodotto
Numero di parte SI4532ADY-T1-E3
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.13W, 1.2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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