Numero di parte | SI4511DY-T1-GE3 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.2A, 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 1.1W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Disponibile: 0