Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix SI4501ADY-T1-GE3

Numero di parte
SI4501ADY-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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Numero di parte SI4501ADY-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 1.3W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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