Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array SI3981DV-T1-GE3

Vishay Siliconix SI3981DV-T1-GE3

Numero di parte
SI3981DV-T1-GE3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Vishay Corporation

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Numero di parte SI3981DV-T1-GE3
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max 800mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
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