Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFBE30LPBF

Vishay Siliconix IRFBE30LPBF

Numero di parte
IRFBE30LPBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 1752 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.49500/pcs
  • 10 pcs

    1.41700/pcs
  • 100 pcs

    1.13850/pcs
  • 500 pcs

    0.88550/pcs
  • 1,000 pcs

    0.73370/pcs
Totale:1.49500/pcs Unit Price:
1.49500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFBE30LPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK
Pacchetto / caso TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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