Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFB9N65APBF

Vishay Siliconix IRFB9N65APBF

Numero di parte
IRFB9N65APBF
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

In stock 2480 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.49000/pcs
  • 10 pcs

    1.40650/pcs
  • 100 pcs

    1.15345/pcs
  • 500 pcs

    0.93400/pcs
  • 1,000 pcs

    0.78771/pcs
Totale:1.49000/pcs Unit Price:
1.49000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFB9N65APBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 5.1A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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