Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV,L3F

Numero di parte: SSM3K56MFV,L3F
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte	SSM3K56MFV,L3F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	55pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 800mA, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VESM
Pacchetto / caso	SOT-723