Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Array HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-Y(TE85L,F

Numero di parte
HN2A01FE-Y(TE85L,F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Numero di parte HN2A01FE-Y(TE85L,F
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max 100mW
Frequenza - Transizione 80MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
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