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| Numero di parte | 2SK208-Y(TE85L,F) |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 100mW |
| temperatura di esercizio | 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | S-Mini |
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH S-MINI FET
Disponibile: 0
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Disponibile: 3000
