Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli STGWT60H65DFB

STMicroelectronics STGWT60H65DFB

Numero di parte
STGWT60H65DFB
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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In stock 1365 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    2.78500/pcs
  • 10 pcs

    2.49900/pcs
  • 100 pcs

    2.04750/pcs
  • 500 pcs

    1.74300/pcs
  • 1,000 pcs

    1.47000/pcs
Totale:2.78500/pcs Unit Price:
2.78500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte STGWT60H65DFB
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 60A
Potenza - Max 375W
Cambiare energia 1.09mJ (on), 626µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 306nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 51ns/160ns
Condizione di test 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 60ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
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