STMicroelectronics STGB4M65DF2

Numero di parte: STGB4M65DF2
fabbricante: STMicroelectronics
Descrizione: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - IGBT - Singoli

STMicroelectronics

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
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1,000 pcs
0.25594/pcs
2,000 pcs
0.23888/pcs
5,000 pcs
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Totale:0.25594/pcs

Unit Price:

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Parametro del prodotto

Numero di parte	STGB4M65DF2
Stato parte	Active
Tipo IGBT	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	8A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	16A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 4A
Potenza - Max	68W
Cambiare energia	40µJ (on), 136µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	15.2nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	12ns/86ns
Condizione di test	400V, 4A, 47 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	133ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK