rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Numero di parte | RUE002N02TL |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT3 |
| Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Disponibile: 9000
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
Disponibile: 0
fabbricante: Rohm Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Disponibile: 45000
