Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli RJP60D0DPP-M0#T2

Renesas Electronics America RJP60D0DPP-M0#T2

Numero di parte
RJP60D0DPP-M0#T2
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

In stock 240 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    1.49000/pcs
  • 10 pcs

    1.33050/pcs
  • 25 pcs

    1.19740/pcs
Totale:1.49000/pcs Unit Price:
1.49000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RJP60D0DPP-M0#T2
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 45A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 22A
Potenza - Max 35W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 45nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 35ns/90ns
Condizione di test 300V, 22A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220FL
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