Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli RJH60D7DPQ-E0#T2

Renesas Electronics America RJH60D7DPQ-E0#T2

Numero di parte
RJH60D7DPQ-E0#T2
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
IGBT 600V 90A 300W TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
Renesas Electronics America

Renesas Electronics America

renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.

In stock 242 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    3.38000/pcs
  • 10 pcs

    3.02000/pcs
  • 25 pcs

    2.71780/pcs
Totale:3.38000/pcs Unit Price:
3.38000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte RJH60D7DPQ-E0#T2
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 90A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
Potenza - Max 300W
Cambiare energia 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 130nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 60ns/190ns
Condizione di test 300V, 50A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 100ns
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
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