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| Numero di parte | NP80N04PUG-E1B-AY |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7350pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Disponibile: 0
fabbricante: Renesas Electronics America
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Disponibile: 0
