Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli 2SB1216S-E

ON Semiconductor 2SB1216S-E

Numero di parte
2SB1216S-E
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PNP 100V 4A TP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 2SB1216S-E
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 500mA, 5V
Potenza - Max 1W
Frequenza - Transizione 130MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore TP
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