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| Numero di parte | PSMN016-100XS,127 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 32.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2404pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 46.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220F |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V LFPAK56
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
Disponibile: 1500
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V LFPAK33
Disponibile: 4500
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V LFPAK33
Disponibile: 3000
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 80V LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: PSMN012-100YL/SOT669/LFPAK
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
Disponibile: 12000
