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| Numero di parte | PMBFJ112,215 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 5V @ 1µA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 50 Ohm |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 (TO-236AB) |
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Disponibile: 12000
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Disponibile: 3000
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Disponibile: 12000
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Disponibile: 9000
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Disponibile: 12000
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Disponibile: 9000
