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| Numero di parte | BUK98180-100A,115 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 619pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 173 mOhm @ 5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
Disponibile: 0
fabbricante: NXP USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
Disponibile: 0
fabbricante: Nexperia USA Inc.
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
Disponibile: 0
