Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli BUK7880-55,135

NXP USA Inc. BUK7880-55,135

Numero di parte
BUK7880-55,135
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte BUK7880-55,135
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Vgs (massimo) ±16V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
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