Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF BLT81,115

NXP USA Inc. BLT81,115

Numero di parte
BLT81,115
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
TRANS NPN 9.5V 500MA SOT223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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In stock 35000 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.43500/pcs
  • 1,000 pcs

    0.43500/pcs
  • 2,000 pcs

    0.40500/pcs
  • 5,000 pcs

    0.39900/pcs
Totale:0.43500/pcs Unit Price:
0.43500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BLT81,115
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 9.5V
Frequenza - Transizione 900MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 8dB
Potenza - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
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