Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N4448,143

NXP USA Inc. 1N4448,143

Numero di parte
1N4448,143
fabbricante
NXP USA Inc.
Descrizione
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numero di parte 1N4448,143
Stato parte Obsolete
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 25nA @ 20V
Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-35
Temperatura operativa - Giunzione 200°C (Max)
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