Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array PMDXB550UNEZ

Nexperia USA Inc. PMDXB550UNEZ

Numero di parte
PMDXB550UNEZ
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Nexperia

Nexperia

nexperia is a dedicated global leader in small signal discretes, logic and powermos devices. originally part of philips and more recently nxp, this new company became independent at the beginning of 2017.

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0.05593/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte PMDXB550UNEZ
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30.3pF @ 15V
Potenza - Max 285mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-XFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1010B-6
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