Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF SD1013-03

Microsemi Corporation SD1013-03

Numero di parte
SD1013-03
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 13W 1A M113
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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Parametro del prodotto
Numero di parte SD1013-03
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 35V
Frequenza - Transizione 150MHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 10dB
Potenza - Max 13W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso M113
Pacchetto dispositivo fornitore M113
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