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| Numero di parte | MSMBJ12AE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 1 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
| Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19.9V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 30.2A |
| Potenza - Peak Pulse | 600W |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | General Purpose |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMBJ (DO-214AA) |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 100VWM 162VC DO215AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 10VWM 17VC DO215AA
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 110VWM 177VC DO215AA
Disponibile: 0
